上海芯元基半导体科技有限公司近日获得一项重要专利授权，专利名称为“一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法”（授权公告号：cn108281525b，授权公告日：2024年10月29日，申请日：2017年12月7日）。
该专利技术涉及一种新型复合衬底及半导体器件结构，以及相应的制备方法。其核心在于复合衬底的独特设计：包含生长衬底、外延缓冲层、周期性间隔分布的半导体介质膜层凸起结构，以及位于凸起结构下方和与外延缓冲层之间的图形化保护层。 此保护层有效防止了干法刻蚀工艺中刻蚀气体或聚合物的污染，从而保护外延缓冲层，简化后续外延生长工艺，扩大工艺窗口，最终实现可量产化的生产。