西安电子科技大学在第三代半导体领域取得重大突破！近日，在第十届国际第三代半导体论坛暨第二十一届中国国际半导体照明论坛（ifws&sslchina2024）上，该校第三代半导体创新中心“6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术”入选2024年度中国第三代半导体技术十大进展。

该中心郝跃院士课题组的张进成教授、李祥东教授团队，攻克了6-8英寸蓝宝石基GaN电力电子器件在外延、设计、制造和可靠性等方面的难题。 他们采用低翘曲超薄外延和高质量双层钝化等创新技术，成功开发出1200V和1700V高性能GaN HEMT中试产品，并通过了严格的可靠性测试（HTRB、HTGB等）。 这项成果已应用于致能科技等公司的产品，有力地推动了蓝宝石基GaN在中高压电力电子器件领域的竞争力，标志着行业技术的新高度，也为产业发展指明了方向。 此次获奖，再次彰显了西电在第三代半导体领域的领先地位，值得祝贺！